Технология формирования и измерения параметров си-лицидних пленок для структур бис

Возможность применения силицидов при изготовлении полупроводниковых приборов и микросхем определяется не только необходимостью обеспечить нужное качество затворов и контактных соединений, но и для совпадения итоге технологических сценариев. Базовыми процессами интеграции элементов транзисторных интегральных схем является создание межсоединений и получения рисунка с помощью плазмохимического травления нанесенных слоев. Традиционная транзисторная микроэлектроника подошла к физическим и технологических границ. Возникла проблема создания наноэлементов, необходимо уменьшить затраты энергии на нагрев элементов. Для достижения этой цели необходимо вводить новые методы изготовления и технологий. Важную роль играет и материал, из которого изготавливают МДП БИС: они должны быть дешевые и затраты энергии на их обработку тоже должны быть минимальными. Экономичность — элемент определяющий конечный выбор того или иного решения. Для достижения этой цели было исследовано большое количество химических элементов и их соединений (W, Si, P, Ge и др.) (Раздел 1.1). В данной работе описаны свойства элементов в нанотехнологии. Представлены свойства силицидов и их основные параметры, а также методы их исследования и технологического контроля. Разработано большое количество установок для очистки этих элементов и установки для их дальнейшего использования (раздел 1.3).
юридическое обслуживание

Но каждый из описанных методов имеет свои преимущества и недостатки. Именно кремний является наилучшим материалом для создания полупроводниковых схем. В разделе 2 рассмотрим основные методы измерения электрофизических параметров силицидных пленок. Рассмотрим методы контроля за формированием силицидных пленок для субмикронных технологии БИС (раздел 3). Наличие примесей затрудняют образование устойчивой фазы — дисилицида, а также препятствуют росту зерен, что ведет к повышению температуры его гомогенного образования, а, следовательно, к повышению удельного сопротивления и ухудшению механических свойств. Кроме того, наличие кислорода в объеме силицида нарушает процесс образования на поверхности силицида двуокиси кремния при нагреве в окислительной атмосфере. Однако, если удается значительно снизить примеси кислорода, то можно получить, например, методом распыления с дисилициднои мишени, свойства не хуже, чем методом одновременного распыления. Образование „ Полипласт "— предварительный и вынужденный путь применения силицидов тугоплавких металлов в технологии БИС, так как исключение подслоя кремния значительно упрощает технологию. Поэтому возможность нанесения силицида прямо на оксид — важное условие при сравнении методов образования силицидов. По этому критерию безусловно отпадают методы нанесения металла на кремний и газофазного. Непригодными оказываются также силициды молибдена и вольфрама при любом методе образования пленки, поскольку создание на поверхности таких пленок слоя двуокиси кремния невозможно без подслоя кремния ввиду образования неустойчивых оксидов вольфрама и молибдена. Раздел 1. Физико-химические свойства силицидов Силицид, как материал для электродов МОП-транзисторных соединений и контактов, должен обладать следующими свойствами: низкий удельный сопротивление; удобство изготовления; удобство пищеварения для образования структуры; возможность окисления; механическая стабильность, то есть хорошая адгезия и низкие внутренние напряжения; чистота поверхности; стабильность при изготовлении прибора, включая высокотемпературный отжиг, сухое и влажное окисления, нанесения фосфорно-силикатного стекла, пассивацию, металлизацию и т. Д .; отсутствие реакции с металлом, обеспечивает окончательную металлизацию, в частности, с алюминием; отсутствие возможности загрязнения приборов, пластин, аппаратуры; хорошие характеристики приборов, необходимо время восстановления; для контактных окон — низкий контактное сопротивление, максимальное проникновение.