Технология формирования и измерения параметров си-лицидних пленок для структур бис часть 2

Образование силицида вследствие взаимодействия металл-кремний приводит к значительным уменьшений объема, может стать основной причиной напряжений, возникающие в силицидов. Для вычисления изменения объема воспользуемся следующей формулой: (3 8) где V — молекулярный объем, а х и у — количества атомов металла и кремния в силицидов МхSiy. Если происходит сжатие и величина V в выражении будет положительная. Рабочий (инертный) газ всегда в пленке, полученной при распылении, что создает напряжение сжатия. Кислород как активный реагент и азот, реагирует с большинством тугоплавких металлов, также вызывает увеличение объема и появляется сжимающее напряжение. Такое негативное явление приводит к деформации подложки. Его величина рассчитывается по формуле: (3 9) где Е, ν и D — модуль Юнга, коэффициент Пуассона и толщина подложки соответственно, R — радиус кривизны подложки, создается напряжением в пленке, и t — толщина пленки, выражение (3 9) справедлив при t <

Силицид Жидкости , которые растворяют Жидкости, их растворяют
TiSi2 ZrSi2 VSi2 TaSi2 WSi2 NiSi2 CoSi2 PdSi Водные растворы кислот, все неорганические кислоты (по исключением HF), царская водка, смесь H2SO4 + H2O2. Так же. Неорганические кислоты, царская водка. Так же. Азотная, серной и фосфорная кислоты, смесь H2SO4 + H2O2. Царская водка, HCl, H2SO4, H2SO4 + H2O2 HF растворы. Так же. Так же, скорость пищеварения имела в титрованных плавки кислоте. HF + HNO3. HF растворы. HF растворы, кипучая НСИ, концентрированные растворы кислот. HNO3, HF + HNO3.
Однако химическое травление можно использовать в случаях, когда силицид сформирован исключительно на кремнии или поликремния в окнах окислов и когда металл не реагирует с маскирующим окисью. Еще один вид пищеварения это & mdash; сухое химическое травление. В последние годы „ сухое "травления полупроводниковых материалов обращает на себя внимание все большее количество исследователей. В общем, сухое травление обеспечивает как селективность, так и анизотропнисть, что следует отметить, оба эти параметра можно оптимизировать соответствующим выбором газа или газовой смеси, а также технологии: плазменного реактивного ионного травления или травления распылением. Чаще всего используют газовую смесь CF4 — кислород в установках плазменного травления. Реактивное ионное травление успешно используют для анизотропного травления многослойных структур TaSi2 / поликремний, WSi2 / поликремний, MoSi2 / поликремний. Реакционная способность по отношению к кислороду долгое время привлекало внимание ученых-исследователей. Считали, что дисилицида высоко стабильны в окисляя средах, хотя их реакционная способность сильно зависит от плотности подготовленных образцов. Установлено, что порошки окисляются быстрее. Глава 4. Тестовый контроль для параметрической оптимизации структур Разработчики и производители БИС в субмикронных технологии БИС ряд задач контроля и исследований процессов и структур решают с помощью данных о электрофизические и электрические параметры тестового контроля (ТК). Область применения ТК распространяется на все этапы проектирования, топологии БИС, разработки ее технологии и изготовление структур кристаллов, то есть охватывает все этапы создания физической структуры БИС на Si-пластине. Устойчивая тенденция роста степени интеграции усложняет процесс тестового контроля. За последние 10-15 лет произошел качественный скачок технического и методологического уровня ТК, который практически выделился в самостоятельное направление электрофизических исследований. Практически все зарубежные фирмы-производители структур БИС в той или иной форме используют ТК, а некоторые фирмы специализируются в этом направлении техники («Prometrix Corp», «The National Burean of Standart» и другие). В современной микроэлектронике БИС добиться высоких экономических показателей без использования ПК невозможно. Однако, освещение этого вопроса проходит на недостаточном уровне. Здесь рассматриваются проблемы и задачи, которые решаются ТК в процессе проектирования и изготовления структур БИС, которые в настоящее время недостаточно решены, а для субмикронных технологии БИС чрезвычайно важным элементом. Тестовую структуру (ТС) определяют как определенный микроэлектронное устройство (приборный структуру), которую используют для измерения электрофизических параметров физической структуры (ФС БИС). Тестовые структуры согласно делятся на:

  • ТС для оценки плотности дефектов;
  • ТС для определения электрофизических параметров структуры БИС;
  • ТС для оценки фотолитографических и плазмохимических процессов;
  • ТС для оценки и прогнозирования электрических параметров структур БИС.
Для получения высоких технико-экономических показателей БИС в состав ТС должны входить все элементы, из которых формируется БИС: все виды транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, контактов, фигур совмещения и определения отклонений размеров при литографиях, все виды элементов, которые позволяют с высокой точностью измерять электрофизические параметры функциональных слоев и определять их дисперсию. Выделим те этапы проектирования БИС, на которых активно используются методы ТК.