Схемотехника триггеров на дискретных и интегральных элементах часть 2

В данной схеме обеспечивается срабатывания триггера, когда меняется вход ПОС напряжения достигнет предельного уровня Еn1, величину которого можно изменять регулируя напряжение источника Е. Так как , в данной схеме выполняется сравнение величины входного напряжения U вх с напряжением U2 = En1. В момент их равенства происходит опрокидывание триггера.

  1. Хранение двоичной информации.
Если одному устойчивому состоянию триггера приписать значение 0 (например, состояние I с низким исходным потенциалом), а состояние II-значение 1, то в нем сколь угодно долго можно хранить двоичную информацию.
  1. Распределение и счет числа импульсов.
Импульс на выходе триггера формируется в результате двух его перебросок под влиянием входных импульсов. Итак, частоты его выходных импульсов будет в два раза меньше по сравнению с частотой импульсов на его входе.

Hyra byggställningar i Stockholm
Другими словами его можно использовать как делитель частоты следования импульсов с коэффициентами распределения равным 2. Для увеличения коэффициента распределения необходимо увеличивать число каскадно включенных триггеров. Коэффициент распределения линейки с n триггеров определяется выражением: K1 = 2n II. Статический триггер на БТ Все многообразие триггеров на БТ, используемых на практике, можно разбить на два класса которые отличаются друг от друга способом создания ПОС. По этому признаку триггеры на БТ делятся на: а) схемы с коллекторно — базовыми связями (ОСЗ), (или симметричные триггеры); б) схемы с ЭП связью (несимметричные триггеры). Схема триггера с ОСЗ изображена на рисунке 6. В данном триггере кроме геометрической симметрии его схема должна иметь место и симметрия его параметров: RK1 = RK2; Rб1 = Rб2, С1 = С2 VT1 и VT2 — однотипные транзисторы с одинаковым параметром. Схема состоит из двух насыщенных ключей на транзисторе VT1 и VT2, соединены последовательно и выход каждого из них соединен с входом другого цепью ПОС, образованной элементами: C — Rб — R. Таким образом коллекторную цепь каждого из ключей соединен с базой другого (отсюда и название транзистор ОСЗ). При отсутствии внешних управляющих сигналов, которые необходимы для перевода триггера из одного устойчивого состояния в другое, его схема должна находится в одном из них сколь угодно долго. В триггере с ОСЗ устойчивыми состояниями являются: — состояние I: VT1 насыщенный, VT2 закрыт; — состояние II: VT2 насыщенный, VT1 закрыт. Для существования таких состояний должно исполниться следующие условия нормального функционирования. Условие насыщения. Закрытый состояние одного из транзисторов, например, VT2 должно обеспечивать насыщенный состояние другого (VT1). При закрытом VT2 ток базы VT1 iб1 должен превышать ток базы насыщенных Iбк1. Условие запирания. Насыщенный состояние одного из транзисторов, например, VT1 должен приводить к созданию на базе VT2 напряжения UБ2, превышающего напряжение запирания. Выполненные условия нормального функционирования обеспечивается соответствующим выбором напряжения Ек, Эб, и параметров резисторов и емкостей.