Последние записи: Электрическая энергия

Рис. 2. 5. 3алежнисть скорости травления пленок силицидов титана и молибдена от давления плазмостворюючои смеси (а) и процентного содержания кислорода (б). При этом в профиле пищеварения полицид молибдена создается перегиб в связи розтравлення пленки силицида […]

Министерство образования и науки Украины Винницкий национальный технический университет Институт автоматики электроники и компьютерных систем управления Факультет автоматики электроники и компьютерных систем управления Кафедра метрологии и промышленной автоматики Усилитель вертикального отклонения Пояснительная записка к курсовому […]

Подставляя в заданные выше формулы получим ; Далее рассчитаем номиналы емкостей. Пусть Тогда Резисторы и конденсаторы для данного каскада выбираем такие R2 = С2-23-0.125-11кОм, 1% С2 = К50 — 18 — 50В — 2НФ R3 = С2-23-0.125-2кОм, 1% […]

Возможность применения силицидов при изготовлении полупроводниковых приборов и микросхем определяется не только необходимостью обеспечить нужное качество затворов и контактных соединений, но и для совпадения итоге технологических сценариев. Базовыми процессами интеграции элементов транзисторных интегральных схем является […]

Наличие плазмы внутри камеры способствует десорбции атомов и молекул остаточных газов из стенок внутри камерного оснащения и, соответственно, увеличивает давление в камере. Кроме того, происходит перераспределение величин парциальных давлений газов остаточной атмосферы. Так, в результате […]

Поэтому, если слой силицида расположен на кремнии, то атомы последнего при соответствующей температуре, диффундируют сквозь силицид, образуя на его поверхности устойчивый слой двуокиси кремния при наличии окислительной атмосферы. Установлено также, что поскольку теплота образования оксидов […]

6. Измерение толщины эпитаксиальных пленок КЭС бесконтактным методом. Рис.4. 9. Спектральная характеристика кремниевых эпитаксиальных структур. Бесконтактный метод измерения толщины эпитаксиальных слоя основывается на оптической интерференции инфракрасного луча при отражении его от межфазной границы монокремний-эпитаксиальных пленка. […]

4. 4 Спектрометрия силицидных и полицидних тонких пл ИВОК структур БИС Для контроля производства БИС используется широкий арсенал аналитических методов контроля в процессе формирования структур кристаллов. широкое использование мониторинга физико-химических методов, увеличение диапазона возможностей измерительных […]

рис.4.6. Тестовая структура для оценки дефектности затворов. Большую роль в анализе дефектов играют статистические методы распределения дефектов. Поэтому моделирование дефектов неразрывно связано с моделированием выхода годных из багаточинну целевую функцию дефектности функциональных слоев структур БИС. […]

Наверх