Последние записи: Электрическая энергия

Министерство науки и образования Украины ДНЕПРОПЕТРОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Факультет физики, электроники и компьютерных систем Кафедра радиоэлектроники Курсовая работа ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ НА ТЕМУ: "Синтез и исследование оксидно-действенного керамики с неомичною проводимостью " Днепропетровск 2009 Реферат В […]

величины x и v являются независимыми; величина x распределена нормально; величина v имеет распределение хи-квадрат Пирсона с k степенями свободы. При этих условиях плотность вероятности величины t примет вид: , (2.57) где B k зависит […]

Реферат на тему: Устройство поливинилацетатных и полимерцементных мастичных полов. требования к мастичных полов и их окончательное отделки и дефекты покрытия. УСТРОЙСТВО поливинилацетатной мастичный ПОЛОВ УСТРОЙСТВО полимерцементным мастичный ПОЛОВ Требования к мастичной ПОЛОВ И ИХ окончательной […]

Пользуясь обратными трафаретами, работу выполняют так же, но, разложив трафареты, сначала наносят мастику вокруг них, создавая цветной фон пола. Затем трафареты снимают и участки поверхности, которые были заняты ими, заполняют мастикой другого цвета. Так образуется […]

Рис. 2. 5. 3алежнисть скорости травления пленок силицидов титана и молибдена от давления плазмостворюючои смеси (а) и процентного содержания кислорода (б). При этом в профиле пищеварения полицид молибдена создается перегиб в связи розтравлення пленки силицида […]

Министерство образования и науки Украины Винницкий национальный технический университет Институт автоматики электроники и компьютерных систем управления Факультет автоматики электроники и компьютерных систем управления Кафедра метрологии и промышленной автоматики Усилитель вертикального отклонения Пояснительная записка к курсовому […]

Подставляя в заданные выше формулы получим ; Далее рассчитаем номиналы емкостей. Пусть Тогда Резисторы и конденсаторы для данного каскада выбираем такие R2 = С2-23-0.125-11кОм, 1% С2 = К50 — 18 — 50В — 2НФ R3 = С2-23-0.125-2кОм, 1% […]

Возможность применения силицидов при изготовлении полупроводниковых приборов и микросхем определяется не только необходимостью обеспечить нужное качество затворов и контактных соединений, но и для совпадения итоге технологических сценариев. Базовыми процессами интеграции элементов транзисторных интегральных схем является […]

Наличие плазмы внутри камеры способствует десорбции атомов и молекул остаточных газов из стенок внутри камерного оснащения и, соответственно, увеличивает давление в камере. Кроме того, происходит перераспределение величин парциальных давлений газов остаточной атмосферы. Так, в результате […]

Наверх